中科院院士:中国光刻技术与国外差距15-20年

2019-11-25 12:41:07

9月17日讯据半导体投资联盟报道,2019年中国集成电路设计大会于9月17日在青岛市崂山区正式召开。中国科学院院士刘明(Liu Ming)在讲话中指出,国内光刻技术与国外技术的差距仍然是15-20年,这是集成电路领域最大的差距。

关于光刻胶技术,刘明表示,中国在极紫外光源、多层膜、掩膜、光刻胶、超光滑抛光技术等方面取得了一些研究进展。然而,一般来说,国内光刻技术与国外技术的差距仍然是15 ~ 20年,这是集成电路领域最大的差距。

在逻辑器件方面,刘明指出,中国对低功耗新型原理逻辑器件的机理、模型、材料、结构和集成技术进行了前瞻性研究。国内优势企业、大学和科研院所对硅基逻辑器件成套试点技术进行了系统研究,为产业发展提供技术知识产权援助。

此外,刘明还表示,中国对新的记忆前沿和关键技术进行了系统研究。学术界与工业界密切合作,为rram、pram和mram开发大规模集成流程。

最后,刘明强调,集成电路的快速发展是信息化的核心和基础,超过摩尔的器件系列的持续萎缩是中国难以超越的,但它是创新的基础,必须得到巩固。没有拐角可去。

据悉,荷兰阿斯玛公司的euv光刻机已经可以制造7纳米及以下的工艺,但国内光刻机只能达到90纳米的工艺水平,其中大部分用于低端生产线或面板生产线。

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